ცეკვავა ბორის ეპიფანეს ძე (31.XII.1933, სენაკი-28.VI.2007, თბილისი), დაამთავრა თსუ-ის ფიზიკის ფაკ-ტი (1955). ჩააბარა კიევის უკრაინის მეცნ. აკადემიის ფიზიკის ინ–ტის ასპირანტურაში (1955). იყო ამავე ინ–ტის უმცროსი მეცნიერ თანამშრომელი (1958-1960). მუშაობდა უკრაინის მეცნ. აკადემიის ნახევარგამტარების ინ-ტში: უმცოსი მეცნიერ თანამშრომელი (1960-1965), უფრ. მეცნიერ თანამშრომელი (1965-1987), წამვანი მეცნ. თანმშრომელი (1987-1989). შემდგომ ბუნდება საქართველოში ოჯახთან ერთად და მუშაობას იწყებს თსუ-ის ნახევარგამტართა მიკროელექტრონიკის კათედრაზე პროფესორად, სადაც მუშაობდა გარდაცვალებამდე (1989). იგი ამავდროულად მუშაობდა თსუ-ის სოხუმის ფილიალში (1993-2002) და საქართვ. ტექ. უნ-ტში პროფესორის თანამდებობებზე (1995-2005). დაიცვა დისერტაცია ფიზ.-მათ. მეცნ. კანდიდატის სამეცნ. ხარისხის მოსაპოვებლად (კიევი, 1962). დაიცვა დისერტაცია ფიზ.-მათ. მეცნიერებათა დოქტორის სამეცნ. ხარისხის მოსაპოვებლად (კიევი, 1987). მონაწილეობდა 18 საერთაშ. და ადგილ. კონფერენციებში, შესრულებული აქვს 60-მდე სამეცნ. ნაშრომი მყარი სხეულების ფიზიკაში (კრისტალოოპტიკა, აკუსტო- და ოპტოელექტრონიკა) გამოქვეყნებული ძირითადად საზღვარგარეთის ცენტრ. ფიზ. ჟურნალებში და კრებულებში. მათ შორის: ,,Сила увлечения кристаллической решетки электронами проводимости при нестационарных токах“, (ЖЭТФ, I969, т.57, в, 6 (12)); ,,К модели дивакансии в германии,“ (ФТТ, т. 44, в. 11, 1043-1947, 2002); ,,Влияние нейтронного облучения на экситонное поглощение в арсениде галлия,“ (Письма в ЖТФ, т.29, в.13, 2003).