ნახევარგამტარული მიკროელექტრონიკის კათედრა (1980-2006). ნახევარგამტარული მიკროელექტრონიკის კათედრა (გამგეები აკად. ირ. გვერდწითელი, პროფ. ალ. გერასიმოვი) დაარსდა სამეცნ.-კვლ. ინ-ტის ’’მიონის’’ ბაზაზე (1980). ასევე დაარსდა კათედრასთან არსებული  ″მიკროელექტრონიკის ფიზიკური საფუძვლების″  სამეცნ.-კვლ. ლაბორატორია (ხელმძღვ. პროფ. ა. გერასიმოვი, 1983). ძირითად მიღწევად შეიძლება ჩაითვალოს ის, რომ კათედრაზე შემუშავებული კონცეფციის თანახმად, კონდენსირებულ გარემოში ატომების გადაადგილებაში გადამწყვეტ როლს ასრულებენ ელექტრონთა კვანტური მდგომარეობები, რის საფუძველზეც დამუშავდა ნ/გ ხელსაწყოების და მიკროელექტრონული ნაკეთობების შექმნის დაბალტემპერატურული სტიმულირებული პროცესები. აღნიშნული კონცეფცია სამართლიანია ბიოლოგიური ობიექტებისთვისაც.