მელქაძე რევაზ (28.VIII.1947, თბილისი). დაამთავრა თსუ-ის ფიზიკის ფაკ-ტი სპეციალობით „მყარი სხეულების ფიზიკა“ (1970). დაამთავრა მოსკოვის საავიაციო ტექნოლ. ინ-ტის ასპირანტურა და წარმატებით დაიცვა დისერტაცია ტექ.მეცნ. კანდიდატის ხარისხის მოსაპოვებლად (1983). სამუშაო გამოცდილება: მუშაობდა სსგ „მიონ“-ის (სსრკ ელექტრონული მრეწველობის სამინისტრო) ნახევარგამტარული ინტეგრალური სქემების დამუშავების განყ-ბაში სხვადასხვა თანამდებობაზე (ინჟინრიდან ლაბორატორიის უფროსობამდე, 1969-1992). იყო თსუ-ის „სსკ ელექტრონული ტექნიკა“ ლაბორ. ხელმძღვანელი (1992-2007). დღემდე თსუ-ის ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნ. ფაკ-ტთან არსებული „გამოყენებითი ნახევარგამტარული ტექნოლოგიების“ ს/კ ინ-ტის ლაბორ. ხელმძღვ. (2008-დან). სსიპ „მიკრო და ნანოელექტრონიკის“ ს/კ ინ-ტის დირექტორის მოადგილე (2012-დან). გაიარა პრაქტიკა „მოსკოვის ელექტრონული ტექნიკის ინსტიტუტში“ (1979), „ქ. რიაზანის ტექნოლ. ხელსაწყოების ინსტიტუტში“ (1984), ,,ფრაუნჰოფერის ინსტიტუტში IAF” (გერმანია, ქ. ფრაიბურგი, 1995),  ჰერაკლიონის ინ-ტში FORTH” (საბერძნეთი, 2001). მეცნ. ინტერესები: მიკრო- ოპტო- და ნანოელექტრონიკა, A^IIIB^V ნახევაგრამტარული ჰეტეროსტრუქტურების მიღება მოლეკულური სხივური ეპიტაქსიის ტექნოლოგიით. მისი ხელმძღვანელობით პირველად სსრკ-ში მიღებული იყო ჰეტეროსტრუქტურები ორგანზომილებიანი ელექტრონული აირით რენტგენული და ɣ-გამოსხივების დეტექტორების ტექნოლოგია, აღდგენადი ენერგიების წყაროები (1985). სამეცნ. პროდუქტიულობა: 77-ზე მეტი სამეცნ. ნაშრომის თანაავტორი (უმეტესობა გამოქვეყნებულია უცხოურ სამეცნ. ჟურნალებში), 3 პატენტი (საქპატენტი). გრანტები, პროექტები: ძირითადი შემსრულებელი, მიმართულების ხელმძღვ. 6 საერთაშორისო (ISTC, STCU, NATO) და 3 ადგილობრივ გრანტებში. მიიღო მონაწილეოება 25 საერთაშ. კონფერენციაში. მას მიენიჭა საქართვ. მეცნ. ეროვნ. აკადემიის ექსპერტის სტატუსი მასალათმცოდნეობის დარგში (2017).