მაისურაძე რუსუდან მიხეილის ასული (01.V.1952, თბილისი). დაამთავრა თბილ. 61-ე საშ. სკოლა (1969). მუშაობდა თბილ. სახელმწ. სამედ. ინ-ტში, პრეპარატორად (1969-73) და თბილ. კავშირგაბმულობის საპროექტო ინ-ტში კორექტორად (1975-77). დაამთავრა თსუ-ის ფიზიკის ფაკ-ტი ნახევარგამტართა ფიზიკის სპეციალობით (1982); მუშაობდა თსუ-ის ფიზიკის ფაკ-ტის, ნახევარგამტართა ფიზიკის სამეცნ. კვლევით ლაბორ. უფრ. მეცნიერ-თანამშრომლის პოზიციაზე (1982-2005). მ. რ.-ს მიენიჭა ფიზ.-მათ. მეცნ. კანდ. აკად. დოქტორის სამეცნ. ხარისხი, სადისერტაციო ნაშრომზე: „Механизмы компенсации в эпитаксиальном GaAs и многослойных структурах на его основе“ (1991). მისი სამეცნ. კვლევების სფერო: ნახევარგამტარული მასალების ელექტროფიზიკური თვისებების შესწავლა; არის 12 მეთოდ. და 17 სამეცნ. ნაშრომის ავტორი და თანაავტორი, მაგ.: „Исследование ВАХ полупроводниковой структуры с p-n переходом и барьером Шоттки“ (Всесоюзн. Конф. молодых ученых „Физика,  технология и производство п/п приборов“ Вильнс, 1987); „Слоевая неоднородность в отожженном полуизолирующем GaAs“ (Томск, 1987); „Матрица памяти с оптической индикацией записанной информации“ (Georgian Engineering News, #4, 1999). მ. რ. სამეცნ. საქმიანობასთან ერთად ეწეოდა პედ. მოღვაწეობას, კითხულობდა სხვადასხვა ლექციათა კურსს; იყო თსუ-ის საერთაშ. სამართ. და საერთაშ. ურთიერთობათა ფაკ-ტის დოცენტი (1999-2003); ბიზნესის სახელმწ. ინ-ტის დოცენტი (1998-2005); საქართვ. პროფ. კავშირების თბილ. უნ-ტის დოცენტი (1999-2005); თბილ. ეკონ. ურთიერთობათა სახელმწ. უნ-ტის მენეჯმენტის კათედრის ასოცირებული პროფესორი (2005-2006); არის მრავალი სამეცნ. პროექტისა და ღონისძიების მონაწილე.