მაჭარაძე ნინა (ნანა) დავითის ასული (14.VIII.1948, თბილისი). დაამთავრა თსუ-ის ფიზიკის ფაკ-ტი მყარი სხეულების ფიზიკის სპეციალობით (1972). მუშაობდა მეცნ. აკადემიის კიბერნეტიკის ინ-ტში (1972-1991); თსუ-ის ნახევარგამტარული მასალათმცოდნეობის კათედრაზე (1992-დან); დღემდე არის თსუ-ის ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნ. ფაკ-ტის აკად. ნოდარ კეკელიძის სახ. ნივთიერებათა კვლევის სამეცნ.-კვლ. ინ-ტში ატომურ-აბსორბციული სპექტრომეტრიის განყ-ბის მეცნიერ-მკვლევარის თანამდებობაზე (2009-დან). არის ეროვნ. სამეცნ. ფონდების საგრანტო პროექტების მონაწილე. მ. ნ.-ს სამეცნ. ინტერესების სფეროა რადიაციული ფიზიკა,  ნახევარგამტარებისა და მყარი სხეულის ფიზიკა, ნახევარგამტარების ტექნოლოგია და მასალათმცოდნეობა,  ფიზიკის მეთოდები ეკოლოგიაში. არის რამდენიმე სამეც. ნაშრომის ავტორი: „ბოჭკოვან-ოპტიკური ხაზის გარდამავალი უბნის პარამეტრების ოპტიმიზაცია გარე წნევის მკვეთრი ცვლილებისას“ (1989); „გამოსახულების ოპტიკური ტრანსფორმირება’’ (1983); ’’Investigation of semiconductors' conduction band structure from I-V and C-V measurements in Schottky diodes Proceedings (2004).