კაპანაძე ზურაბ ბიძინას ძე(21.X.1957, თბილ.). დაამთავრა თსუ-ის ფიზიკის ფაკ-ტი (1979), მუშაობდ თსუ-ის მყარი სხეულების ფიზიკის კათედრაზე,  ნახევარგამტარების სამეცნ-კვლ. ლაბორატორიაში უმცროსი და შემდეგ მეცნიერ თანამშრომლის თანამდებობაზე (1980-1996). სწავლობდა  მოსკოვის იშვიათი მეტალების ინ-ტის ასპირანტურაში დაუსწრებელ განოფილებაზე (1986-1992) და დაიცვა საკანდიდატო დისერტაცია სპეციალობაში: „ნახევარგამტარების და ელექტრონული ტექნიკისათვის მასალების ტექნოლოგია“, რისთვისაც მიენიჭა ტექნიკურ მეცნ. კანდიდატის წოდება. არის 10 სამეცნიერო ნაშრომის და ერთი გამოგონების თანაავტორი. მუშაობდა ქ. მოსკოვში სხვადასხვა კომერციულ სტრუქტურებში (1996-2009). დღემდე მუშაობს თბილ. მიკრო და ნანოელექტრონიკის ინ-ტში მეცნ. თანამშრომლის თანამდებობაზე (2014-დან).