გოგიაშვილი ვასილ ალექსანდრეს ძე (07.XI.1930, თბილისი - 03.VIII.2004, თბილისი). დაამთავრა თსუ-ის ფიზიკა-მათემატიკის ფაკ-ტი (1950-1955). მუშაობდა მცხეთის ს. ნიჩბისის საშ. სკოლის ფიზიკის მასწავლებლად (1955-1959); იყო რუსთავის აზოტოვანი სასუქების ცენტრ. ლაბორ. უფრ. ინჟინერი (1959-1962); თსუ-ის ნახევარგამტართა ფიზიკის პრობლემური ლაბორ. უფრ.  ლაბორანტი (1962-დან); უმცროს მეცნიერ მუშაკი (1965-დან);იყო კიბერნეტიკის ფაკ-ტის ფიზ. კიბერნეტიკის პრობლემური ლაბორ. მეცნიერ-მუშაკი (1966-1973); ახ. და პერსპექტიული მასალების ფიზიკის და ტექ. სამეცნ.-კვლ. ლაბორ. განყ-ბის გამგე (1973-დან). დაიცვა საკანდიდატო დისერტაცია თემაზე "InPxAs1-x მყარი ხსნარების ელექტრული თვისებები" (1976);  უფრ. მეცნიერ-თანამშრომელი (1985-დან); ასევე ნახევარგამტარული და ზეგამტარული მასალათმცოდნეობის სამეცნ.-კვლ. ლაბორ. ნახევარგამტარებში ელექტრონული მოვლენების სამეცნ.-კვ. განყ-ბის გამგე.  გამოქვეყნებული აქვს 50-ზე მეტი ნაშრომი. მათ შორის: „დონორების და აქცეპტორების განსაზღვრის მეთოდები გერმანიუმში“ (თსუ-ს შრომები, 1970, ტ.135); „გალიუმის არსენიდის მონოკრისტალების თერმოელექტრული მახასიათებლების კვლევა“ (მოამბე, 1992, ტ. 145, #2); „ელექტრონების ძვრადობის ანალიზი და მინარევების კონცენტრაციის განსაზღვრა n-ტიპის გალიუმის არსენიდში“ (მოამბე, 1995). გ. ვ.-ის სამეცნ. ინტერესების სფერო ძირითადად მოიცავს  AIII-BV ნაერთების მყარი ხსნარების ელექტრონული თვისებების შესწავლას.