დოლიძე ნუგზარ დავითის ძე (16.VI.1942, თბილისი), ფიზიკოსი. დაამთავრა თსუ-ის ფიზიკის ფაკ-ტი, სპეციალობით „მყარი სხეულების ფიზიკა“ (1964); იმყოფებოდა სტაჟირებაზე ლენინგრადში, აკად. ფ. იოფეს სახ. ფიზიკა-ტექნიკის ინ-ტში ს. მ. რივკინის ლაბორატორიაში (1964-1966); არის ფიზ.-მათ. მეცნ. კანდ. (საქ. სსრ მეცნ. აკად. ფიზიკის ინ-ტი, 1979); საკანდიდატო დისერტაციის თემა: ’’Исследование природы радиационных дефектов в германи п-типа облучённом быстрыми электронами при температуре 77 К.’’ (1979); ასევე დაიცვა სადოქტორო დისერტაცია თემაზე: ’’Идентификация и модель дивакансий в германий и арсениде’’. არის ფიზ.-მათ. მეცნ. დოქტორი (თსუ-ის ფიზიკის ფაკ-ტი, 2001). ,უშაობდა თსუ-ის ფიზიკის ფაკ-ტის ექსპერიმენტული ფიზიკის კათედრის ლაბორანტად (1965წ);  ნახევარგამტარულ ხელსაწყოთა ფიზიკის სამეცნიერო კვლევითი ინსტიტუტში რადიაციული კვლ-ის განყ-ბაში უმცროსი მეცნიერ-მუშაკად, განყ-ბის უფროსად (1965-1992); თსუ-ის ფიზიკის ფაკ-ტის რადიაციული ტექნ. სამეცნ.-კვლ. სექტორის გამგედ (1992-2007); ვაშინგტონის კორპორაცია “ლიქუიდ ლაით ინკ”-ის საქართვ. ფილიალში უფრ. მეცნიერ-თანამშრომლად (2007-2011 ); საქართვ. ტექ. უნ-ტის სრულ პროფესორად (2002-2021), თსუ-ის ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნ. ფაკ-თან არსებული გამოყენებითი ნ/გ ტექნოლოგიების სამეცნ.-კვლ. ინ-ტის მთ. მეცნიერ-თანამშრომელად (2008-2026) და ამავე ინ-ტის დირექტორად (2026-დან); თბილ. მიკრო და ნანოელექტრონიკის სამეცნ.-კვლ. ინ-ტი, ლაბორ. ხელმძღვ. (2012 - 2026) და ამავე ლაბორ. უფრ. მეცნიერიერ-თანამშრომელად (2026-დან). მისი მეცნიერული ინტერესებია: მიკრო, ოპტო და ნანოელექტრონიკა; რადიაციული დეფექტები კრისტალებში; რადიაციით და ფოტონებით სტიმულირებული პროცესები; პერსპექტიული, დაბალტემპერატურული რადიაციულ-ფოტონური ტექნოლოგიები; არატრადიციული ენერგიის წყაროები; ფიზიკა მედიცინაში. სამეცნ. პროდუქტიულობა: ძირითადად თანაავტორებთან ერთად გამოქვეყნებული 160-ზე მეტი სამეცნ. ნაშრომი, მათ შორის 90-ზე მეტი უცხოურ სამეცნ. ჟურნ-ში და სამეცნ. ნაშრომთა კრებულებში; მაგალითად: „О гистерезисном характере вольтамперной характеристики германиевого п-р перехода, созданного облучением“ (ФТТ, 1965, N7); „On the Identification and Possible Space Orientation of Light-Sensitive Defects in Ge.“ (Phys. Stat. Sol. (a) 1982, N 70, 23); „The Electronic Mechanism of Melting of Semiconductor Materials“ (New Developments in Material Science, New Science publishers, Inc. New York, 2011). დ. ნ. მონაწილეობდა 75-ზე მეტ საერთაშ. და ადგილობრივ კონფერენციებში; აქვს 9 პატენტი (2 სსრკ-ის და 7 საქპატენტი); 9 სახელმძღვანელოს ავტორია (2 რადიაციაში, 1 ბიო-მედიცინაში და, თანაავტორებთან ერთად - 4 სამედ. ფიზიკაში და 2 ზოგად ფიზიკაში, (სტუ-ის გამ-ბა 2010-2019); მონაწილეობდა გრანტებსა და პროექტებში: 2 საერთაშ. (ISTC, ძირითადი შემსრულებელი) და 6 ადგილობრივი (რუსთაველის საზოგადოება, ხელმძღვ., 1996-2019); არის საქართვ. საბუნებისმეტყველო მეცნ. აკადემიის  ნამდვილი წევრი (2021-დან).

თხზ.: დოლიძე, ნ. (2016). ნანოტექნოლოგიები ბიომედიცინაში. სახელმძღვ.სტუდენტებისთვის. თბ., ტექნიკური უნ-ტი, ISBN 9719941206627; დოლიძე, ნ. (2018). რადიაციული უსაფრთხოების ფიზიკური საფუძვლები: (მეორე შევს. და გადამუშ. გამოცემა): სახელმძღვ.  სტუდენტებისთვის. თბ., ტექნიკური უნ-ტი, ISBN 9789941283895.