ჩიკოიძე ეკატერინე გივის ასული (02.IV.1970, ქ.თბილისი). დაამთავრა თსუ-ის ფიზიკის ფაკ-ტი,  მაღალტემპერატურული ზერგამტარების სპეციალობით (1992) და იმავე წელს დაიწყო მუშაობა ინჟინრად მასალათმცოდნეობის ფაკ-ტზე; ჩაირიცხა თსუ-ის ასპირანტურაში (1994) და მიენიჭა ფიზიკა-მათემატიკურ მეცნ. კანდ. ხარისხი სპეციალიზაციით ნახევარგამტარები და დიელექტრიკები (1999), სადისერტაციო თემა: “დეფექტების წარმოქმნა იმპლანტირებულ ZnS-ის კრისტალში”; მიენიჭა აბდუს სალამის სახ. თეორ. ფიზიკის საერთაშ. ცენტრის (ICTP) სტიპენდია; მუშაობდა მკვლევრად მილანის პოლიტექნ. უნ-ტში, ფიზიკის დეპარტ. ულტრასწრაფი ფენომენებისა და ბიოსამედიცინო ოპტიკის ცენტრში (2001-2003); მიიღო ნატოს სამეცნ. პროგრამის სტიპენდია (2003);  მუშაობდა საფრანგეთში ოქსიდური სპინ-ელექტრონიკის სფეროში (2003-დან); დღემდე არის CNRS-ის თანამშრომელი პარიზ-საკლეს (Université Paris Saclay)  უნ-ტში, (საფრანგეთი) და მუშაობს ელექტრონიკისთვის განკუთვნილი ფართო ზონიანი მქონე მასალების სფეროში (2008-დან).  ჩ. ე. არის 14 ქვეყნის თანამშრომლობით: აშშ, იაპონია, ევროკავშირი, ავსტრალია და ტაივანი. ე. ჩიოიძე, რამდენიმე ეროვნ. და საერთაშ. პროექტის კოორდინატორი, საფრანგეთის ეროვნ. პრიორიტეტული სფეროს პროექტის სამეცნ. ლიდერი სიმძლავრის ელექტრონიკაში; ასევე 90-ზე მეტი პუბლიკაციის ავტორია. მათ შორის: „P-type β-gallium oxide: A new perspective for power and optoelectronic devices“ (Materials Today Physics, 2017, N 3, 118); „Ultra-high critical electric field of 13.2 MV/cm for Zn-doped p-type b-Ga2O3“ (Materials Today Physics, 2020, N 15);  „Anderson disorder related p-type conductivity and metal-insulator transition in β-Ga2O3“ (Materials Today Physics, 2024, N 49). მონაწილეობდა 120 კონფერენციის მუშაობაში; იყო რამდენიმე კონფერენციის ორგანიზატორი და თანაორგანიზატორი, სამეცნ. კომიტეტების წევრი. ათწლეულების განმავლობაში ჩ. ე.-ს მჭიდრო თანამშრომლობა აქვს თსუ-ის  ფიზიკის ფაკ-ტის კოლეგებთან, ოფიციალური პროექტებისა და სტუდენტური/პროფესიული გაცვლითი პროგრამების მეშვეობით; არის მაგისტრანტების, დოქტორანტებისა და პოსტდოქტორანტების ხელმძღვ.